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Atti, Riassunti o Comunicazioni
Program, erase and retention times ofthin-oxide Flash-EEPROMs
- autori
- G. Iannaccone, S. Gennai
- anno
- 2000
- tipo prodotto
- Articolo in atti di congresso
- lingua
- Inglese
- revisore serie
- Barker, J.R., Watling, J.R.
- editore
- IEEE
- volume
- -
- numero pagine
- 2
- pagina iniziale
- 153
- isbn-issn
- 0-85261-704-6
- data
- 2000
- nome conferenza
- 7th International Workshop on Computational Electronics
- localita' conferenza
- Glasgow
- ABSTRACT
- The purpose of this work is the simulation of program, erase, and retention times of thin-oxide Flash EEPROMs, in which the floating gate is charged through Fowler-Nordheim (FN) or direct tunneling.
- parole chiave
- flash memories ,tunnelling ,program time ,erase time ,retention time ,thin oxide flash EEPROM ,computer simulation ,floating gate ,Fowler-Nordheim tunneling ,direct tunneling
- schede autori
- IANNACCONE GIUSEPPE